平板型晶闸管（IGBT）是一种高压、高功率半导体器件，它具有普通晶闸管和金属氧化物场效应管（MOSFET）的优点。它的特点是低开关损耗、高开关速度和大电流承载能力。因此，它被广泛应用于各种电力电子设备中，例如交流电机驱动器、逆变器、电力变换器、电动汽车和太阳能发电系统等。
平板型晶闸管的结构是由PN结与NPT结构组成。PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构，NPT结构是由N型半导体、P型半导体和N型半导体组成的结构。在正向偏置下，电子从N型半导体向P型半导体流动，同时空穴从P型半导体流向N型半导体。这样，PN结和NPT结就形成了导通状态。在反向偏置下，PN结和NPT结将不再导通。
平板型晶闸管有两种控制方式：电压控制和电流控制。电压控制是通过控制电极施加的电压来控制晶闸管的导通和关闭，而电流控制是通过控制电极施加的电流来控制晶闸管的导通和关闭。电压控制通常用于高压应用，而电流控制通常用于低压应用。
平板型晶闸管的主要优点是低开关损耗和高开关速度。这种器件可以在高频率下工作，这意味着它可以用于需要高效率和高速度的应用。此外，平板型晶闸管还具有大电流承载能力，因此它可以承载高电流负载。
平板型晶闸管有一些缺点，其中最显著的是它的控制电路比较复杂。这是因为它需要一个驱动电路来控制晶闸管的导通和关闭。此外，平板型晶闸管还具有较高的漏电流和温度敏感性。
总之，平板型晶闸管是一种重要的半导体器件，具有许多优点，如低开关损耗、高开关速度和大电流承载能力。它被广泛应用于各种电力电子设备中，例如交流电机驱动器、逆变器、电力变换器、电动汽车和太阳能发电系统等。