场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种基于场效应原理的半导体器件。它具有高输入阻抗，低噪声，低功耗等优点，在电子设备中被广泛应用。
场效应管的结构类似于普通晶体管，但是它的控制电极是一个场效应结构。一般来说，场效应管有三个引脚：漏极（Drain），源极（Source）和栅极（Gate）。源极和漏极之间的电流可以通过调节栅极电压来调节，因此，场效应管的工作原理是基于外界电场的作用。
在场效应管中，栅极和源极之间形成了一个反型结。当栅极电压为0时，反型层的宽度最大，形成了一个高阻抗状态。当栅极电压增加时，反型层的宽度减小，电流开始在源极和漏极之间流动。这种现象被称为开启，当栅极电压继续增加，电流会变得越来越大，直到达到饱和状态。
场效应管有两种类型：N型和P型。N型场效应管具有负电荷的反型层，需要正电压才能控制电流。P型场效应管具有正电荷的反型层，需要负电压才能控制电流。
场效应管的应用非常广泛，特别是在低功耗电子设备中。它可以用作放大器，开关，振荡器等。在数字电路中，场效应管通常用作开关，因为它可以快速开启和关闭，同时具有低功耗和高噪声容限。在模拟电路中，场效应管可以用于放大和调节电压。
总之，场效应管是一种基于场效应原理的半导体器件，具有高输入阻抗，低噪声，低功耗等优点。它的应用非常广泛，可以用作放大器，开关，振荡器等。