单端场效应管（Single-Ended Field-Effect Transistor，SEFET）是一种常见的场效应管（Field-Effect Transistor，FET）类型之一。它是一种三端器件，可以用于放大、开关和稳压等电路中，具有体积小、功耗低、响应速度快等优点。
单端场效应管的结构与其他场效应管大致相同，包括栅、漏、源三个端口。其中，栅极是控制电流的输入端，漏极是电流输出端，源极则是电流的起点。在工作时，栅极的电压会控制通道电阻的大小，从而控制漏极和源极之间的电流流动。
与双端场效应管不同的是，单端场效应管只有一个电源，因此只能用于单极性电路，即只能将电流流向一个方向。在单端场效应管中，栅极和漏极之间的电压越大，通道电阻就越小，漏极和源极之间的电流就越大。同时，单端场效应管的漏极和源极之间的电阻也非常小，使得电路的响应速度更快。
单端场效应管的应用十分广泛，尤其是在低功耗、小型化电路中的应用更为常见。例如，在放大电路中，单端场效应管可以用作输入级放大器、中间放大器和输出级放大器等；在开关电路中，单端场效应管可以用于单极性开关电路、直流电机控制电路等；在稳压电路中，单端场效应管可以用于线性稳压器和开关稳压器等。
总之，单端场效应管是一种功能强大、应用广泛的电子器件，具有体积小、功耗低、响应速度快等优点。随着电子技术的不断发展，单端场效应管在各种电路中的应用也将越来越广泛。