低压场效应管（Low Voltage Field Effect Transistor，LVFET）是一种场效应管，其特点是在低电压下即可工作。与传统的场效应管相比，LVFET具有更低的门极电压和更高的开关速度。
LVFET的结构与传统的场效应管相似，由源极、漏极和栅极组成。不同之处在于，LVFET的栅极材料通常是硅氧化物，而传统的场效应管的栅极材料是金属。
LVFET的工作原理与传统的场效应管相同。当栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成一个电场，使得源极和漏极之间的电阻减小，电流得以流通。当栅极施加负电压时，电场减弱，电阻增大，电流减小。
LVFET的优点在于其低电压工作，这意味着在低电压下，LVFET可以提供更高的电流。此外，LVFET的开关速度更快，因为栅极材料是硅氧化物，它能够更快地响应来自外部电路的信号。
LVFET的应用范围很广，特别是在低电压电路中使用。例如，LVFET可用于电池供电的电子设备、便携式医疗设备、汽车电子系统和太阳能电池板等。在这些应用中，LVFET能够提供更高的电流和更高的效率。
总之，低压场效应管是一种在低电压下工作的场效应管，拥有更低的门极电压和更高的开关速度。其应用范围广泛，特别是在低电压电路中使用。