IGBT模块是一种新型半导体器件，是继MOSFET和BJT之后出现的第三代功率半导体器件。IGBT全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极晶体管，其结构类似于MOSFET，但电流传输机制类似于BJT，因此既具有MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率等优点，又具有BJT的大电流承载能力和低导通电压等优点。IGBT模块主要应用于大功率变频器、电动机驱动、交流电源、太阳能发电、风力发电等领域。
IGBT模块相较于BJT和MOSFET，具有以下几个优点：
1.大电流承载能力：IGBT模块具有很强的电流承载能力，相较于BJT和MOSFET，其电流密度更大，可以在高电压、大电流的情况下正常工作。
2.低导通电压：IGBT模块的导通电压仅为1-2V，相较于BJT的0.6-1.0V和MOSFET的3-4V，其导通损耗更小。
3.高输入阻抗：IGBT模块的输入阻抗很高，约为10^6Ω，与MOSFET相当，可减小驱动功率，提高开关速度。
4.温度稳定性好：IGBT模块的温度稳定性好，能在高温环境下正常工作，可以实现高功率密度、高可靠性的应用。
IGBT模块应用广泛，主要应用于大功率电子器件和电力电子系统中，如高压直流输电、高速列车、电动汽车、UPS电源、风力发电、太阳能发电、可逆变器、电炉控制、电焊机、数控机床等领域。IGBT模块的应用不仅可以提高系统效率，而且可以降低系统的成本和维护费用。
随着电力电子技术的不断发展，IGBT模块的性能和可靠性将不断提高，其应用范围也将不断扩大。
